Ցույց տուր կառուցվածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

1977

Հատոր:

12

Համար:

2

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

Влияние освещения на S диоды, изготовленные из полупроводника, компенсированного акцепторами, расположенными в верхней половине запрещенной зоны

Այլ վերնագիր:

Լուսավորման ազդեցությունը արգելման շերտի վերին կեսում գտնվող ակցեպտորներով կոմպենսացված կիսահաղորդչային S-դիոդների վրա; Influence of light on S-diodes mode of a semiconductor compensated with acceptors in the upper half of forbidden gap

Ստեղծողը:

В. М. Арутюнян ; Ф. В. Гаспарян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering ; Technology

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Հարությունյան Վ. Մ. ; Գասպարյան Ֆ. Վ. ; Arutunyan V. M. ; Gasparyan F. V.

Ծածկույթ:

123-128

Հրատարակիչ:

ՀՍՍՀ ԳԱ հրատ․

Ստեղծման ամսաթիվը:

1977-04-11

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան