Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

1975

Volume:

10

Number:

4

Official URL:

Title:

Анализ параметров симметрического домена в диодах Ганна из GaAs с учетом полевой зависимости коэффициента диффузии электронов

Other title:

GaAs-ից պատրաստված Գաննի դիոդներում սիմետրիկ դոմենի պարամետրերի վերլուծությունը, էլեկտրոնների դիֆուզիայի գործակցի դաշտային կախվածության դեպքում; Analysis of parameters of a symmetrical domain in Gunn diodes made from GaAs taking into account the field dependence of electron diffusion coefficient

Creator:

В. М. Арутюнян ; А. Г. Варосян

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Subject:

Physics ; Science ; Radiophysics

Uncontrolled Keywords:

Հարությունյան Վ. Մ. ; Վարոսյան Ա. Գ. ; Arutunyan V. M. ; Varosyan A. G.

Coverage:

283-290

Publisher:

ՀՍՍՀ ԳԱ հրատ․

Date created:

1975-08-13

Type:

Հոդված

Format:

pdf

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան