Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

1975

Հատոր:

10

Համար:

4

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

Анализ параметров симметрического домена в диодах Ганна из GaAs с учетом полевой зависимости коэффициента диффузии электронов

Այլ վերնագիր:

GaAs-ից պատրաստված Գաննի դիոդներում սիմետրիկ դոմենի պարամետրերի վերլուծությունը, էլեկտրոնների դիֆուզիայի գործակցի դաշտային կախվածության դեպքում; Analysis of parameters of a symmetrical domain in Gunn diodes made from GaAs taking into account the field dependence of electron diffusion coefficient

Ստեղծողը:

В. М. Арутюнян ; А. Г. Варосян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Radiophysics

Չվերահսկուող բանալի բառեր:

Հարությունյան Վ. Մ. ; Վարոսյան Ա. Գ. ; Arutunyan V. M. ; Varosyan A. G.

Ծածկոյթ:

283-290

Հրատարակիչ:

ՀՍՍՀ ԳԱ հրատ․

Ստեղծման ամսաթիւը:

1975-08-13

Տեսակ:

Հոդված

Ձեւաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան