Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

1973

Volume:

8

Number:

6

Official URL:

Title:

К теории двойной инжекции в компенсированных полупроводниках, содержащих глубокие акцепторные центры и электронные уровни прилипания

Other title:

Խորը ակցեպտորային կենտրոններ և էլեկտրոնների համար կպչողական մակարդակներ պարունակող համակշռված կիսահաղորդիչներում կրկնակի ինժեկցիայի տեսության վերաբերյալ; On double injection theory in compensated semiconductors with deep acceptor centres and electron traps

Creator:

Г. М. Авакьянц ; В. М. Арутюнян

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Subject:

Physics ; Science ; Physics of Semiconductors ; Radiophysics

Uncontrolled Keywords:

Ավագյանց Գ. Մ. ; Հարությունյան Վ. Մ. ; Avakiants G. M. ; Harutunian V. M.

Coverage:

429-437

Publisher:

ՀՍՍՀ ԳԱ հրատ․

Date created:

1973-12-20

Type:

Հոդված

Format:

pdf

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան