Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

1973

Հատոր:

8

Համար:

6

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

К теории двойной инжекции в компенсированных полупроводниках, содержащих глубокие акцепторные центры и электронные уровни прилипания

Այլ վերնագիր:

Խորը ակցեպտորային կենտրոններ և էլեկտրոնների համար կպչողական մակարդակներ պարունակող համակշռված կիսահաղորդիչներում կրկնակի ինժեկցիայի տեսության վերաբերյալ; On double injection theory in compensated semiconductors with deep acceptor centres and electron traps

Ստեղծողը:

Г. М. Авакьянц ; В. М. Арутюнян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Physics of Semiconductors ; Radiophysics

Չվերահսկուող բանալի բառեր:

Ավագյանց Գ. Մ. ; Հարությունյան Վ. Մ. ; Avakiants G. M. ; Harutunian V. M.

Ծածկոյթ:

429-437

Հրատարակիչ:

ՀՍՍՀ ԳԱ հրատ․

Ստեղծման ամսաթիւը:

1973-12-20

Տեսակ:

Հոդված

Ձեւաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան