Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

1971

Հատոր:

6

Համար:

2

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

К теории концентрационного уширения примесных уровней в полупроводниках

Այլ վերնագիր:

Կիսահաղորդիչներում խառնուրդային մակարդակների կոնցենտրացիոն լայնացման տեսության վերաբերյալ; On the theory of concentration broadening of impurity levels in semiconductors

Ստեղծողը:

З. А. Касаманян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Physics of Semiconductors

Չվերահսկուող բանալի բառեր:

Կասամանյան Զ. Հ. ; Kasamanian Z. H.

Ծածկոյթ:

116-123

Հրատարակիչ:

ՀՍՍՀ ԳԱ հրատ․

Ստեղծման ամսաթիւը:

1971-04-21

Տեսակ:

Հոդված

Ձեւաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան