Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

1966

Հատոր:

1

Համար:

4

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

Прохождение тока через полупроводники с примесями или дефектами, создающими глубокие уровни

Այլ վերնագիր:

Հոսանքի անցումը խառնուրդային կամ արատավոր խոր մակարդակներ տվող կիսահաղորդիչներով; Transmission of current through semiconductors with touch of defects producing deep levels

Ստեղծողը:

Г. М. Авакьянц

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Electricity ; Physics of Semiconductors

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Ավագյանց Գ. Մ. ; Avakyants G. M.

Ծածկույթ:

248-258

Հրատարակիչ:

ՀՍՍՌ ԳԱ հրատ․

Ստեղծման ամսաթիվը:

1966-06-24

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան