Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

1966

Volume:

1

Number:

4

Official URL:

Title:

Прохождение тока через полупроводники с примесями или дефектами, создающими глубокие уровни

Other title:

Հոսանքի անցումը խառնուրդային կամ արատավոր խոր մակարդակներ տվող կիսահաղորդիչներով; Transmission of current through semiconductors with touch of defects producing deep levels

Creator:

Г. М. Авакьянц

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Subject:

Physics ; Science ; Electricity ; Physics of Semiconductors

Uncontrolled Keywords:

Ավագյանց Գ. Մ. ; Avakyants G. M.

Coverage:

248-258

Publisher:

ՀՍՍՌ ԳԱ հրատ․

Date created:

1966-06-24

Type:

Հոդված

Format:

pdf

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան