Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

1966

Հատոր:

1

Համար:

3

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

О влиянии уровней прилипания на вольтамперную характеристику полупроводникового диода

Այլ վերնագիր:

Կպչողական հատկություն ունեցող մակարդակների ազդեցությունը կիսահաղորդիչ դիոդի վոլտամպերային բնութագրի վրա; On the influence of traps on voltamper characteristics of semiconductor diode

Ստեղծողը:

Г. М. Авакьянц ; А. У. Рахимов

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Electricity ; Physics of Semiconductors

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Ավակյանց Գ. Մ. ; Ռահիմով Ա. Ու. ; Avakyants G. M. ; Rahimov A. U.

Ծածկույթ:

164-169

Հրատարակիչ:

ՀՍՍՌ ԳԱ հրատ․

Ստեղծման ամսաթիվը:

1966-06-23

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան