Խորացված որոնում ?

Օբյեկտ

О влиянии уровней прилипания на вольтамперную характеристику полупроводникового диода

Ներբեռնել

Վերնագիր: О влиянии уровней прилипания на вольтамперную характеристику полупроводникового диода

Ստեղծողը:

Г. М. Авакьянц ; А. У. Рахимов

Տեսակ:

article

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

1966

Հատոր:

vol. 1

Համար:

№ 3

Այլ վերնագիր:

Կպչողական հատկություն ունեցող մակարդակների ազդեցությունը կիսահաղորդիչ դիոդի վոլտամպերային բնութագրի վրա; On the influence of traps on voltamper characteristics of semiconductor diode

Ծածկույթ:

164-169

Հրատարակիչ:

ՀՍՍՌ ԳԱ

Ստեղծման ամսաթիվը:

1966-06-23

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:131035

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Խորագիր և բանալի բառեր:

Science Physics Electricity Physics of Semiconductors Ավակյանց Գ. Մ. Ռահիմով Ա. Ու. Avakyants G. M. Rahimov A. U.

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Mar 3, 2021

Մեր գրադարանում է սկսած:

Apr 21, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

1

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/144012

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Հրատարակության անուն Ամսաթիվ
О влиянии уровней прилипания на вольтамперную характеристику полупроводникового диода Mar 3, 2021

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Рассеяние электронов заряженными примесями в тонкой (квантующей) полупроводниковой пленке

В. Г. Григорян А. М. Казарян

article

Межзонное поглощение света в полупроводнике с узкой запрещенной зоной в квантующем магнитном поле

А. П. Джотян Б. Г. Погосян

article

Влияние взаимной диффузии на зонную структуру и коэффициент поглощения одномерной полупроводниковой сверхрешетки

В. Л. Азиз Ахчегала

article

Адсорбционный детектор дыма на основе тонкопленочного сенсора из металлооксидного полупроводника

А. З. Адамян З. Н. Адамян В. М. Арутюнян

article

Исследование возможности подавления влияния влажности при адсорбции дыма на поверхности полупроводника

А. З. Адамян З. Н. Адамян В. М. Арутюнян

article

Подвижность носителей заряда в очень чистых полупроводниках с дислокациями

К. О. Кечечян А. А. Киракосян

article

Особенности края фундаментального поглощения рентгеновских лучей в размерно-квантованных полупроводниковых пленках

С. Л. Арутюнян В. А. Арутюнян А. А. Дживанян Г. О. Демирчян

article

Расчет подвижности квазидвумерных носителей заряда в полупроводниковых структурах методом энергетических потерь

А. Л. Асатрян А. Л. Вартанян А. А. Киракосян

article
Ավելին

Կապի մանրամասներ

Հասցե

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
Մարշալ Բաղրամյան 24/6
Երևան 0019

Հեռախոս

(+374) 10 524750

Էլ․ փոստ

info@flib.sci.am

Այցելեք մեզ։

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն