Структурные искажения полупроводниковых кристаллов кремния, вызванные действием постоянного электрического поля - А. О. Абоян (ՀՀ ԳԱԱ հրատ.)
Рентгеноинтерферометрическим методом в неполярных кристаллах, в частности, в полупроводниковых кристаллах кремния, обнаружены структурные искажения, вызванные действием постоянного электрического поля. Показано, что поле изменяет частоту (период) и направления муаровых полос, а при разностях потенциалов больше 1.5 кВ муаровые картины исчезают. Муаровая картина, полученная под действием электростатического поля, не зависит от направления (полярности) поля: при обеих полярностях получаются совершенно одинаковые картины. Ռենտգենաինտեֆերաչափական մեթոդով ոչ բևեռային, մասնավորապես, կիսահաղորդչային սիլիցիումի բյուրեղներում դիտված են հաստատուն էլեկտրական դաշտի ազդեցությամբ հարուցված կառուցվածքային աղավաղումներ: Ցույց է տրված, որ դաշտը փոփոխում է մուարի շերտերի հաճախությունը (պարբերությունը) և ուղղությունը, իսկ 1.5 կՎ պոտենցիալների տարբերության դեպքում մուարի պատկերները վերանում են: Մուարի պատկերը, որն ստացվում է էլեկտրական դաշտի ազդեցությամբ, կախված չէ դաշտի ուղղությունից (բևեռականությունից), երկու բևեռականությունների դեպքում էլ ստացվում են միանգամայն միատեսակ պատկերներ: Structural distortions in nonpolar, particularly, in semiconducting silicon crystals, caused by a permanent electric field, have been revealed by means of X-ray interferometry. It was shown that both the direction of moiré fringes and the frequency (period) are changed in the field, and that the moiré patterns disappear at values of potential difference in excess of 1.5 kV. The moiré pattern obtained under the action of electrostatic field is independent of the direction (polarity) of the field, the patterns for both polarities being completely identical.
Keywords: Physics; Science; Electricity and magnetism; Physics of Semiconductors