Влияние взаимной диффузии атомов In и Al на экситонные состояния в квантовых точках InxGa1–xAs/AlyGa1–yAs - В. Н. Мугнецян; А. А. Киракосян (ՀՀ ԳԱԱ հրատ.)
Исследовано влияние взаимной диффузии атомов алюминия и индия в квантовой точке InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs на эмиссионную энергию и энергию связи экситона։ Ուսւմնասիրված է ինդիումի և ալյումինիումի ատոմների փոխադարձ դիֆուզիայի ազդեցությունն էքսիտոնի առաքման էներգիայի և կապի էներգիայի վրա InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs քվանտային կետում: The effect of interdiffusion of aluminum and indium atoms on the exciton emission energy and binding energy in InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs quantum dots is studied. It is shown that with increasing diffusion length the emission energy increases monotonically, while the binding energy has a maximum.
Keywords: Physics; Science; Electricity and magnetism