Энергетические уровни мелкой примеси в монослойном графене в перпендикулярном магнитном поле - Аветисян, А. А.; Джотян, А. П.
Вариационным методом исследуются энергии основного 1S и первых трех возбужденных уровней 2S, 2P– и 2P+ мелкой примеси в монослое графена с открытой энергетической щелью, в перпендикулярном магнитном поле. Получены зависимости энергий примесных уровней от величины магнитного поля и для различных значений параметра «толщины» b «сглаженного» кулоновского потенциала. Возможность управления положением энергетических уровней примеси и расстоянием между ними в графенe путем изменения величины магнитного поля и параметра b открывает возможность реализации новых схем для рассмотрения когерентного взаимодействия лазерных импульсов с графеновыми системами. In this work the energies of the ground 1S and first excited states 2S, 2P– and 2P+ of a shallow donor impurity in graphene monolayer with opened energy gap in a perpendicular magnetic field are investigated using a variational approach. The dependences of impurity energies on the gap and magnetic field for the various values of the fine structure parameter and thickness parameter of soft Coulomb potential are obtained. The ability to control the position of impurity energy levels and the distance between them in graphene by changing the energy gap and magnetic field will allow the implementation of new schemes for considering coherent phenomena under the action of laser pulses.
Keywords: Физика