Оптические переходы 1S–2Px между уровнями мелкой примеси в монослойном графене - Джотян, А. П.; Аветисян, А. А.
Вариационным методом исследована энергия связи основного и первого возбужденного уровней водородоподобной примеси в монослойном графене. Показано, что энергия связи примеси перестраивается изменением щели и эффективной постоянной тонкой структуры. Найдено аналитическое выражение для дипольного матричного элемента перехода электрона с основного на первое возбужденное состояние водородоподобной примеси в графене. Վարիացիոն մեթոդով՝ միաշերտ գրաֆենում ուսումնասիրվել են ջրածնանման խառնուկի էլեկտրոնի հիմնական և առաջին գրգռված մակարդակների կապի էներգիաները: Ցույց է տրվել, որ խառնուկային վիճակների կապի էներգիան կարելի է կառավարվել ճեղքի և արդյունարար նուրբ կառուցվածքի հաստատունի մեծության փոփոխությամբ։ Ստացվել է վերլուծական արտահայտություն խառնուկային էլեկտրոնի՝ հիմնական վիճակից դեպի առաջին գրգռված վիճակ անցման դիպոլային մատրիցական տարրի համար։ The binding energy of the ground and first excited levels of a hydrogen-like impurity electron in monolayer graphene was studied by the variational method. It is shown that the binding energy of the impurity electron can be tailored by changing the value of the gap and the effective fine structure constant. An analytical expression for the dipole matrix element of the electron transition from the ground to the first excited state of a hydrogen-like impurity in graphene has been found.
Keywords: Физика