Формирование полос люминесценции ионов Ce3+ в кристаллах YAG:Ce - Бутаева, Т. И.; Ованесян, К. Л.; Еганян, А. В.
Рассмотрены спектральные особенности и структурные факторы, влияющие на формирование полос люминесценции Ce3+ ионов в кристаллах YAG:Ce. Определены энергетические уровни 4f оболочки ионов Се3+, занимающих как додекаэдрические, так и октаэдрические узлы кристаллической решетки. Показано участие ионов Се3+ и ионов Се3+ Al в структуре полосы люминесценции и определена многоцентровая структура ионов Се3+ в 4f↔5d переходах активатора. The spectral features and structural factors influencing the formation of luminescence bands of Ce3+ ions in YAG:Ce crystals are considered. The energy levels of the 4f shell of Ce3+ ions occupying both dodecahedral and octahedral sites of the crystal lattice have been determined. The participation of Ce3+ ions and Ce3+ Al ions in the structure of the luminescence band was shown and the multicenter structure of Ce3+ ions in the 4f↔5d transitions of the activator was determined. Ներկայացված աշխատանքում դիտարկված են YAG:Ce բյուրեղներում Ce3+ իոնների սպեկտրալ առանձնահատկությունները և կառուցվածքային գործոնները, որոնք ազդում են ակտիվատորի լյումինեսցենցիոն շերտերի կազմավորման վրա: Որոշված են Ce3+ իոնների 4f շերտի էլեկտրոնային մակարդակները, որոնք զբաղեցնում են բյուրեղական ցանցում ինչպես դոդեկաէդրիկ, այնպես էլ օկտաէդրիկ հանգույցները: Ցույց է տրված դոդեկաէդրիկ և օկտաէդրիկ հանգույցներում գտնվող ակտիվատորի մասնակցությունը լյումինեսցենցիոն շերտի կառուցվածքում և սահմանվել են ակտիվատորի 4f↔5d անցումների բազմակենտրոն կառուցվածքը:
Keywords: Физика