Հակադարձված բիպոլյար տրանզիստորում տարանցիկ հոսանքով կառավարվող բացասական դիմադրության հնարավորության մասին - Մինասյան, Մելս; Գասպարյան, Աննա; Մանուկյան, Անուշ; Մինասյան, Աննա
Ցույց է տրված, որ S-բնութագրերի խաթարումը բխում է տրանզիստորի դրեյֆային լինելու հանգամանքից: Կապված բազայի անհավասարաչափ լեգիրացման հետ` դիտարկվող տրանզիստորը հակադարձված ռեժիմում աշխատում է առանձնակի թույլ ուժեղացումներով, և սպասելի է, որ փոքրազդանշանային ուժեղացումը (թույլ տարանցիկ հոսանքների հանգամանքում) չբավարարի հեղեղնային ծակման S-աձև ընթացքի ձևավորմանը: Рассматривается инверсный сквозной ток в дрейфовом биполярном транзисторе. Выявлено атипичное подавление S- образности участка лавинного пробоя у части транзисторов, по-видимому, обладающих более резким профилем легирования и сильным внутренним полем в базе․ Inverse through current in the drift bipolar transistor is considered. Atypical suppression of S-figurativeness of the site of avalanche breakdown at a part of the transistors, apparently, possessing sharper profile of alloying and the strong internal field in base is revealed.
Keywords: Ֆիզիկա