Измерения резистивных параметров мембраны светоадресованных датчиков при воздействии пара пероксида водорода - Л. А. Сукоян (Հայաստանի ԳԱԱ)
Проведены измерения резистивных параметров новых структур (BST/Pt /SiO2) при воздействии пара пероксида водорода. Կատարվել են նոր կառուցվածքների (BST/Pt/SiO2) դիմադրության փոփոխության չափումներ` ջրածնի պերօքսիդի գոլորշու ազդեցության տակ: The resistive parameters of the new structures (BST/Pt /SiO2), at the influence of hydrogen peroxide vapor are measured.
Keywords: Technology