Моделирование запоминающего элемента EEPROM - Г. Ш. Меликян (ՀՀ ԳԱԱ հրատ.)
Проведено исследование и моделирование запоминающего элемента и усилителя считывания EEPROM. Модель запоминающего элемента основана на оригинальной методике расчета потенциала плавающего затвора в условиях постоянного тока без фиксированных емкостных коэффициентов связи. Приведены частотные и временные характеристики схемы усилителя считывания с использованием программного пакета HSPICE. The investigation and modeling of the storage element and the readout amplifier EEPROM is carried out. Model memory element is based on the original method of calculating the potential of floating gate in DC without fixed capacitive coupling coefficients. The frequency and temporal characteristics of the amplifier readout using a software package HSPICE is presented.
Keywords: Technology