Исследование влияния облучения нейтронами на отказоустойчивость микросхемы - Ефименко, Е. В.; Фанченко, С. С.; Александров, П. А.
Уменьшение размеров транзисторов ведет к увеличению чувствительности к единичным событиям (SEU) для КМОП интегральных схем, предназначенных для работы в условиях облучения. На основании расчетных спектров первично выбитых атомов кремния рассчитаны ионизационные потери энергии для нейтронов в интервале 1–14 МэВ. Оценена восприимчивость к одиночным событиям в условиях радиации для различных топологических размеров микросхем CMOS SRAM. Reducing transistor size leads to an increase in the sensitivity to single event upsets (SEU) for CMOS integrated circuits designed for operation in irradiated conditions. Ionization energy losses for neutrons in the range 1–14 MeV is calculated based on the calculated spectra of primary knock-on silicon atoms. CMOS SRAM chips susceptibility to SEU under irradiation is estimated for various circuit topological sizes.
Keywords: Физика