Оценка точности формирования транзисторной структуры в микросхемах - Д. К. Мелконян (ՀՀ ԳԱԱ հրատ.)
Проведена экспериментальная оценка точности параметров интегральных микросхем по методу нерегулярного планирования экспериментов. Рассмотрен процесс формирования p-n перехода в транзисторной структуре. Осуществлен синтез приближенной модели диффузионного процесса, обеспечивающий удовлетворительную точность в необходимых диапазонах изменения параметров интегральных микросхем. Տրված է ինտեգրալ միկրոսխեմաների պարամետրերի չափման ճշտության փորձնական գնահատական` տրանզիստորներում p-n անցման ձևավորման ճշգրիտ և սինթեզված մաթեմատիկական մոդելների օգտագործմամբ: Սինթեզված մոտավոր մեթոդն ապահովում է բավարար ճշտություն: Experimental estimation of integral microcircuit parameter accuracy treated by a method of irregular experiment planning is given. P-n junction formation process in the transistor structure is viewed. An approximate model synthesis of diffusion process which provides satisfactory accuracy in necessary ranges for changing basis integral microcircuit parameters is realized.
Keywords: Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering; Technology