Планарное геттерирование слоем пористого кремния - Г. Е. Айвазян (ՀՀ ԳԱԱ հրատ.)
Продемонстрирована возможность эффективного геттерирования структурных дефектов и быстродиффундирующих примесных атомов слоями пористого кремния при высокотемпературном отжиге. Ցուցադրված է բարձրջերմաստիճանային թրծման դեպքում ծակոտկեն սիլիցիումի շերտերով արագ դիֆուզվող խառնուրդային ատոմների և կառուցվածքային արատների արդյունավետ հետերացման հնարավորությունը: The possibility of efficient gettering of structural defects and rapidly diffusing impurity atoms by layers of porous silicon during high-temperature annealing is demonstrated.
Keywords: Technology