Мемристивный эффект в двухслойных структурах на основе легированных литием пленок ZnO - А. С. Игитян; Н. Р. Агамалян; С. И. Петросян; Е. А. Кафадарян (ՀՀ ԳԱԱ հրատ.)
Исследована структура Au/Li10ZnO/Li1ZnO/LaB6, состоящая из верхнего Au и нижнего LaB6 омических электродов и р-n перехода p-Li10ZnO/n-Li1ZnO, имеющая резистивную память, где одновременно совмещены две функции – адресный доступ и процесс считывания и хранения информации. Отношение сопротивлений (Rreset/Rset = 10), время хранения информации ( > 3 часов) и число циклов переключения ( > 350) улучшены по сравнению с соответствующими однослойными структурами. Резистивная память объясняется модулирующим эффектом слоя Li10ZnO, сегнетоэлектрическая поляризация которого в зависимости от ориентации изменяет ширину и высоту барьера p-n перехода, образованного на контакте p-Li10ZnO/n-Li1ZnO. Հետազոտված է Au/Li10ZnO/Li1ZnO/LaB6 կառուցվածքը, որը բաղկացած է վերին՝ Au-ի, և ստորին՝ LaB6-ի, օհմական էլեկտրոդներից և p-Li10ZnO/n-Li1ZnO-ի р-n անցումից և որն ունի մի այնպիսի ռեզիստիվ հիշողություն, որը միաժամանակ համատեղում է երկու ֆունկցիոնալ հնարավորություն՝ հասցեի մատչելությունը և տեղեկատվության ընթերցման ու պահպանման գործընթացը: Rreset/Rset = 10 դիմադրությունների հարաբերակցությունը, տեղեկատվության պահպանման ժամանակը ( > 3 ժամից) և փոխարկման ցիկլերի քանակը ( > 350)՝ համապատասխան միաշերտ կառուցվածքների հետ համեմատած, բարելավված են: Ռեզիստիվ հիշողությունը բացատրվում է ZnO10Li շերտի մոդուլացնող էֆեկտով, որի սեգնետաէլեկտրական բևեռացման դարձելիությունը ազդում է p-Li10ZnO/n-Li1ZnO միացման տեղում առաջացած p-n անցման արգելքի լայնության և բարձրության վրա: The structure of Au/Li10ZnO/Li1ZnO/LaB6, consisting of Au upper and LaB6 lower ohmic electrodes and p-n junction p-Li10ZnO/n-Li1ZnO which has resistive memory where two functions are simultaneously compatible, address access and the process of reading and storing information, is investigated. The resistance ratio (Rreset/Rset = 10), the data storage time ( > 3 hours) and the number of switching cycles ( > 350) are improved compared to the corresponding single-layer structures. Resistive memory is explained by the modulation effect of the Li10ZnO layer, the ferroelectric polarization of which depending on the orientation affects the width and height of the barrier of the p-n junction formed at the p-Li10ZnO/n-Li1ZnO contact.
Keywords: Physics; Science; Electricity and magnetism