О возможности экспериментального определения параметров зонной структуры многодолинных полупроводников - А. И. Ваганян; Е. М. Багиян (ՀՀ ԳԱԱ հրատ.)
Показана принципиальная возможность определения некоторых параметров зонной структуры многодолинных полупроводников на основе экспериментальных кривых температурной зависимости общей концентрации носителей заряда. Ցույց է տրված բազմահովիտ կիսահաղորդիչների գոտիական կառուցվածքի որոշ պարամետրերի որոշման սկզբունքային հնարավորությունը՝ ընդհանուր կոնցենտրացիայի ջերմաստիճանային կախման փորձարարական կորերի հիման վրա: A possibility to determine some parameters of the band structure in many-valley semiconductors based on experimental curve of overall concentration of charge carriers versus temperature is shown.
Keywords: Physics; Science; Physics of Semiconductors; Radiophysics