Распределение по размерам квантовых точек InAsSbР/InAs (100) в рамках модифицированной для поверхности теории ЛСВ - Р. Д. Венгренович; Б. В. Иванский; И. И. Панько; Ю. М. Кушнир; В. И. Кривецкий (ՀՀ ԳԱԱ հրատ.)
В рамках модифицированной для поверхности теории ЛСВ проведен анализ роста квантовых точек (КТ) в структуре InAsSbР/InAs(100) на стадии оствальдовского созревания (ОС). Analysis of quantum dots (QD) growth in InAsSbP/InAs (100) structure at the stage of Ostwald ripening (OR) is carried out in the frames of modified for surface LSW theory.
Keywords: Physics; Science; Chemical Physics; Molecular Physics; Quantum Physics