Потенциал точечного заряда в полупроводниковой гетероструктуре с цилиндрической симметрией - А. А. Киракосян; Н. Г. Мовсисян; Ш. Г. Гаспарян (ՀՀ ԳԱԱ հրատ.)
Выведены общие выражения для потенциала точечного заряда в коаксиальной полупроводниковой гетероструктуре, состоящей из трех цилиндрических областей с различными значениями диэлектрических постоянных, при произвольном положении точечного заряда в гетероструктуре.Արտածված են կետային լիցքի պոտենցիալի ընդհանուր արտահայտություններ տարբեր դիէլեկտրական հաստատուններով գլանային տիրույթներից կազմված գլանային կիսահաղորդչային հետերոկառուցվածքում կետային լիցքի կամայական դիրքի համար: General expressions for the potential of a point charge in a coaxial semiconductor heterostructure composed by three cylindrical regions with different dielectric constants and for arbitrary location of the charged center in the heterostructure are derived.
Keywords: Physics; Science; Physics of Semiconductors; Radiophysics