Влияние параметров анодирования пористого кремния на его чувствительность к глюкозе - Г. А. Меликджанян; Х. С. Мартиросян (ՀՀ ԳԱԱ հրատ.)
Исследовано влияние параметров анодирования пористого кремния на чувствительность к глюкозе путем измерения вольт-амперных характеристик и сопротивлений образцов. Показано, что чувствительность резко увеличивается (до 5.5 раза) с увеличением плотности тока анодирования. Influence of the anodization parameters of porous silicon on its glucose sensitivity was investigated by measuring the current-voltage characteristics and resistance of samples. It is shown that the sensitivity increases sharply up to 5.5 times with increase in the anodization current density.
Keywords: Physics; Science; Radiophysics