Анализ характеристик пленок пористого кремния, полученного на монокристаллическом кремнии p-типа - Г. А. Меликджанян; Х. С. Мартиросян (ՀՀ ԳԱԱ հրատ.)
Методом электрохимического анодирования на кремниевых подложках p-типа получены пленки пористого кремния и проанализированы зависимости пористости и толщины пленки от содержания в растворе HF, плотности протекающего тока и времени анодирования. Էլեկտրաքիմիական անոդավորման մեթոդով p-տիպի սիլիցիումային տակդիրի վրա ստացված են ծակոտկեն սիլիցիումի թաղանթներ և ուսումնասիրված են ծակոտկենության և թաղանթի հաստության կախվածությունը լուծույթում HF-ի պարունակությունից, անոդավորման հոսանքի խտությունից և անոդավորման ժամանակից:Porous silicon films on p-type silicon substrate with different porosity and thickness have been obtained by electrochemical anodization method. Dependences of porosity and thickness of the films on the content of HF in solution, anodization current density and anodization time were analyzed.
Keywords: Physics; Science; Radiophysics