Особенности тонкой структуры края фундаментального поглощения в слабо легированных полупроводниковых квантовых ямах с учетом кулоновской щели - С. Л. Арутюнян (ՀՀ ԳԱԱ հրատ.)
Исследовано влияние кулоновской щели на тонкую структуру края фундаментального поглощения в квантовых ямах. Исследована также зависимость коэффициента поглощения квантовой ямы от степени легирования и компенсации образца. Ուսումնասիրված է քվանտային փոսերում կուլոնյան ճեղքի ազդեցությունը հիմնարար կլանման եզրի նուրբ կառուցվածքի վրա: Ուսումնասիրված է նաև կլանման գործակցի կախումը լեգիրացման և համակշռման աստիճանից: The influence of the Coulomb gap on the fine structure of the fundamental absorption edge in quantum wells is investigated. The dependence of the absorption coefficient of a quantum well on the levels of doping and compensation is also studied.
Keywords: Physics; Science; Radiophysics