Время жизни неравновесных носителей заряда в базе полупроводникового диода c p–n-переходом при произвольных уровнях инжекции - Н. С. Арамян (ՀՀ ԳԱԱ հրատ.)
В приближении экспоненциальности распределения неравновесных носителей в базе полупроводникового диода с p–n-переходом получена формула для расчета времени жизни, пригодная при произвольных уровнях инжекции. p–n-անցումով կիսահաղորդչային դիոդի բազայում անհավասարակշռված լիցքատարների էքսպոնենտային բախշման մոտավորությամբ ստացված է բանաձև` կյանքի տևողությունը հաշվելու համար, որը կիրառելի է ինժեկցիայի ցանկացած մակարդակի դեպքում: In the approximation of exponential distribution of unequilibrium charge carriers in the base of semiconductor p–n-junction diode, a formula for lifetime calculation is obtained, which may be used at arbitrary injection levels.
Keywords: Physics; Science; Radiophysics