Флуктуация поверхностного потенциала полупроводника в структуре Si – SiO2 при облучении и последующем отжиге - А. А. Саакян (ՀՀ ԳԱԱ հրատ.)
Измерением параметров поверхностных состояний исследованы флуктуации поверхностного потенциала полупроводника в структуре Si–SiO2, вызванные облучением частицами высокой энергии (электроны с энергией 50 МэВ и ионы мышьяка с энергией 40 кэВ) и последующим отжигом. Մակերևութային մակարդակների պարամետրերի չափման մեթոդով SiO2-Si կառուցվածքներում ուսունասիրված է կիսահաղորդչի մակերևութային պոտենցիալի ֆլուկտուացիան տարբեր տեսակի բարձր էներգիայով օժտված մասնիկներով ճառագայթահարումից (50 ՄէՎ էներգիայով էլեկտրոններ և 40 կէՎ էներգիայով արսենի իոններ) և թրծումից հետո: Fluctuations of the semiconductor surface potential in a Si–SiO2 structure induced by irradiations with various high-energy particles (electrons with the 50 MeV energy and arsenic ions with the 40 keV energy) and by the subsequent annealing are investigated by measurements of semiconductor interface state parameters.
Keywords: Physics; Science; Physics of Semiconductors; Radiophysics