@misc{Կարապետյան_Ֆ._Ս._Մետաղների,
 author={Կարապետյան, Ֆ. Ս. and Սաքանյան, Ռ. Ս.},
 address={Երևան},
 howpublished={online},
 publisher={Մանկավարժ հրատ․},
 abstract={Հետազոտվել է -ի և -ի դիմադրությունների կախումը ջերմաստիճանից: Պարզ փորձնական հետազոտության արդյունքներից որոշվել են մետաղների և կիսահաղորդիչների բավականին կարևոր հաստատուններ` դիմադրության ջերմաստիճանային գործակիցը, արգելված գոտու լայնությունը, տեսակարար դիմադրությունը, տեսակարար հաղորդականությունը, լիցքակիրների շարժունակությունը և կոնցենտրացիան: Դիմադրության ջերմաստիճանային կախվածության հետազոտությունները կատարվել են -ի և -ի համար 200C - 1200C ջերմաստիճանային տիրույթում: Որոշված պարամետրները օգտագործվում են կիսահաղորդիչների մաքրությունը գնահատելու համար, քանի որ խառնուրդի աննշան քանակը զգալի փոխում է լիցքակիրների կոնցենտրացիան և էլեկտրահաղորդականությունը: В работе исследована зависимость сопротивления металлов и полупроводников от температуры. На основании предложенного простого метода исследования температурной зависимости сопротивления были определены следующие важные параметры металлов и полупроводников: ширина запрещенной зоны, удельная проводимость, удельное сопротивление, температурный коэффициент сопротивления, подвижность и концентрация заряженных частиц. Исследования температурной зависимости сопротивления для и были осуществлены в интервале температур 200C- 1200C. Некоторые из этих параметров используются для оценки чистоты полупроводников, так как незначительное количество примеси заметно меняют концентрацию заряженных частиц и электропроводность. The study analyses the dependence of the resistance of metals and semiconductors on temperature. Based on the experimental results of temperature dependence on resistivity the following important parameters of metals and semiconductors have been identified: the width of the forbidden zone, specific electrical conductivity, specific resistivity, temperature coefficient of resistance, mobility and concentration of charged particles. The study of temperature dependence on resistance for Cu and Ge were carried out in the temperature range 200C - 1200C. Some of the identified parameters are used to assess the purity of semiconductors, as even a very small change in consistency significantly change the concentration of charged particles and their electrical conductivity.},
 type={Հոդված},
 title={Մետաղների և կիսահաղորդիչների դիմադրության ջերմաստիճանային կախվածությունից որոշ ֆիզիկական բնութագրերի որոշումը},
 keywords={Ֆիզիկա},
}