@misc{А._М._Ханбекян_Взаимодействие,
 author={А. М. Ханбекян and А. А. Ханбекян},
 howpublished={online},
 publisher={ՀՀ ԳԱԱ հրատ.},
 abstract={Փորձնականորեն հետազոտվել է գալիումի ատոմների ներթափանցման պրոցեսը ատոմների գոլորշի պարունակող քվարցե բջիջի պատերի մեջ։ Ցույց է տրվել, որ երբ գալիումի գոլորշիներ պարունակող բջիջը տաքացվում է մինչև 1080°C ջերմաստիճան, տեղի է ունենում մետաղի ատոմների ներթափանցում բջիջի պատերի մեջ: Այդ պրոցեսի արդյունքում գալիումի գոլորշու ճնշումը բջիջում չի համապատասխանում աղյուսակային արժեքներին տվյալ ջերմաստիճանի համար: Միայն բջիջի պատերը ներթափանցած ատոմներով հագենալուց հետո բջիջի ծավալում մետաղի գոլորշու խտությունը սկսում է աճել: The process of diffusion of gallium atoms into the walls of an atomic vapor containing quartz cell was experimentally examined. It has been shown that when the cell containing gallium vapor is heated to a temperature of 1080°C, the metal atoms diffuse into the walls of the cell. As a result, the gallium vapor pressure in the cell does not correspond to the tabular values for the given temperature. Only when the cell walls are saturated by diffused atoms, the density of metal vapor in the volume of the cell increases.},
 type={Հոդված},
 title={Взаимодействие паров атомов галлия с поверхностью кварцевой ячейки},
 keywords={Physics, Science, Atomic physics},
}