@misc{K._H._Aharonyan_Binding,
 author={K. H. Aharonyan and N. B. Margaryan},
 address={Երևան},
 howpublished={online},
 publisher={ՀՀ ԳԱԱ հրատ.},
 abstract={A formalism for the study of the two-dimensional screened exciton states in onesided strong dielectric contrast affected ternary quantum well (QW) system modeled by the two-dimensional Debye-Hückel-type potential is presented. В модели двумерного дебай-хюккелевского потенциала взаимодействия в трехслойной квантовой яме представлен формализм для исследования экранированных экситонных состояний с учетом одностороннего сильного контраста диэлектрических постоянных. Երկչափ դեբայ-հյուկելյան բնույթի փոխազդեցության պոտենցիալի կիրառությամբ ներկայացված է եռաշերտ քվանտային փոսում երկչափ էկրանավորված էքսիտոնային վիճակների ուսումնասիրությունը՝ դիէլէկտրական հաստատունի մեկկողմանի կտրուկ թռիչքի հաշվառումով:},
 title={Binding Energy of the One-Sided Dielectrically Enhanced Screened Exciton in Semiconductor Quantum Well},
 type={Հոդված},
 keywords={Physics, Science},
}