@misc{Р._М._Мовсесян_О,
 author={Р. М. Мовсесян and А. С. Саакян},
 address={Երևան},
 howpublished={online},
 publisher={ՀՀ ԳԱԱ հրատ.},
 abstract={Աշխատանքում դիտարկված է չբևեռացված էլեկտրոնների ցրումը մագնիսական արգելքների վրա: Ցույց է տրված, որ երբ հետերոկառուցվածքը պարունակում է երկու մագնիսական պատնեշ, ռեզոնանսային անցման շնորհիվ, անցած էլեկտրոնների բևեռացման աստիճանը մոտ է 100 տոկոսին: The scattering of nonpolarized electrons on magnetic barriers is considered. In the case when the heterostructure contains two magnetic barriers, due to resonance penetratin between them, the possibility to obtain a 100 percent spin polarization of penetrated electrons is investigated.},
 title={О рассеянии электрона на магнитных барьерах},
 type={Հոդված},
 keywords={Physics, Science},
}