@misc{Аракелова_Э._Р._Cтруктурное, author={Аракелова, Э. Р. and Григорян, С. Л. and Мирзоян, А. А. and Мирзоян, А. Б. and Савченко, Л. М. and Хачатрян, А. М. and Ераносян, М. С.}, howpublished={online}, abstract={Легированием цинка переходными металлами (Ag+Fe+Сu) сформированы мишени: Zn/Ag/Fe/Cu (Zn95, Ag2, Fe2, Сu 1%; Zn94, Ag2, Fe2, Сu2% и Zn92, Ag2, Fe3, Cu3%). Получены мишени с небольшим изменением параметров решётки Zn. DC-магнетронным распылением Zn/Ag/Fe/Cu мишеней с заданным стехиометрическим составом в смеси газов Ar:O2, в вакууме порядка 0.666 Па сформированы наноразмерные плёнки ZnO/Ag/Fe/Cu с p–типом проводимости на стеклянных подложках при комнатной температуре. Структурные, электрофизические, оптические и морфологические характеристики полученных плёнок исследованы методами рентгеновской дифрактометрии (XRD), атомно-силовой микроскопии, UV/VIS спектроскопии и холловских измерений. На дифрактограммах плёнок ZnO/Ag/Fe/Cu выявлены характерные дифракционные пики, соответствующие кристаллографическим плоскостям (002), (101), (100) и (010). Пропускание исследованных плёнок составило около 85–97% в диапазоне длин волн 460–930нм. Концентрация свободных носителей пленок ZnO/Ag/Fe/Cu порядка 1021cм–3. Плёнки ZnO/Ag/Fe/Cu могут быть интегрированы в устройства оптоэлектроники в качестве функциональных элементов. By doping zinc with transition metals (Ag+Fe+Cu), the following targets were formed: Zn/Ag/Fe/Cu (Zn95, Ag2, Fe2, Cu 1%; Zn94, Ag2, Fe2, Cu2% and Zn92, Ag2, Fe3, Cu3%). Targets with insignificant changes in the Zn lattice parameters were obtained. Nanosized ZnO/Ag/Fe/Cu films with p-type conductivity on glass substrates at room temperature were formed by DC- magnetron sputtering of Zn/Ag/Fe/Cu targets with a given stoichiometric composition in an Ar: O2 gas mixture in a vacuum of about 0.666 Pa. The structural, electrical, optical, and morphological characteristics of the obtained films were studied using X-ray diffractometry (XRD), atomic force microscopy, UV/VIS spectroscopy, and Hall measurements. The diffraction patterns of the ZnO/Ag/Fe/Cu films revealed characteristic reflexes of interplanar spacings along the 002 and 101, as well as 100 and 010 crystallographic directions. The transmittance of the studied films was approximately 85–97% in the wavelength range of 460–930 nm. The concentration of free carriers in the ZnO/Ag/Fe/Cu films was approximately 1021 cm–3. ZnO/Ag/Fe/Cu films, can be integrated into optoelectronic devices as functional elements.}, title={Cтруктурное конструирование мишеней Zn/Ag/Fe/Сu и формирование тонких пленок ZnO/Ag/Fe/Сu p-типа проводимости DC-магнетронным методом при комнатной температуре}, type={Հոդված}, keywords={Физика}, }