@misc{Овсепян_Р._К._Температурная,
 author={Овсепян, Р. К. and Агамалян, Н. Р. and Аракелян, А. А. and Вартанян, Т. А. and Кафадарян, Е. А. and Лазарян, В. Г. and Мнацаканян, Г. Г. and Петросян, С. И. and Погосян, А. Р.},
 howpublished={online},
 abstract={Механизмы транспорта носителей заряда для переменного тока определены в пленках оксида цинка (ZnO) с примесью Li, которая создает акцепторные и донорные центры. Проведено сравнительное изучение применимости двух моделей – квантово-механического туннелирования (QMT) и коррелированных барьерных прыжков (CBH) – для интерпретации экспериментальных данных по электропроводности на переменном токe. На основе анализа температурной зависимости проводимости на различных частотах сделан выбор в пользу модели CBH. Изучена зависимость энергии термической активации проводимости от концентрации легирующей примеси Li в пленках ZnO. Установлено, что правило Мейера–Нельделя, связывающее предэкспоненциальный множитель в температурной зависимости проводимости на переменном токе с энергией активации, выполняется для компенсированных полупроводников, в которых одновременно существуют донорные и акцепторные центры. The mechanisms of charge carrier transport for alternating current in zinc oxide (ZnO) films with Li impurity, which creates acceptor and donor centers, are determined. A comparative study of the applicability of two models, quantum mechanical tunneling (QMT) and correlated barrier hopping (CBH), for interpreting experimental data on alternating current electrical conductivity is carried out. Based on the analysis of the temperature dependence of conductivity at different frequencies, a choice was made in favor of the CBH model. The dependence of the thermal activation energy of conductivity on the concentration of the doping impurity Li in ZnO films is studied. It is established that the Meyer–Neldel rule, which relates the pre-exponential factor in the temperature dependence of alternating current conductivity to the activation energy, is fulfilled for compensated semiconductors in which donor and acceptor centers exist simultaneously.},
 type={Հոդված},
 title={Температурная зависимость проводимости напеременном токе в легированных литием пленках оксида цинка},
 keywords={Физика, Электротехника},
}