@misc{Ghukasyan_S._A._A,
 author={Ghukasyan, S. A. and Papyan, E. T. and Ivanyan, R. A. and Mkrtchyan, S. S. and Voskanyan, G. A.},
 address={Երևան},
 howpublished={online},
 publisher={«Պոլիտեխնիկ» տպ.},
 abstract={Most activities would be impossible to imagine without the integrated circuits that are produced today. Modern integrated circuits have attained extremely high levels of integration by adhering to Moore's law. The density of element placement on the wafer can be significantly increased thanks to the advancements in nanoelectronics. The decrease in operating voltages required for transistors that does not keep up with transistor scaling leads to the emergence of unwanted voltage values between the transistor's terminals. The inability of factories to manufacture transistors with a thick dielectric layer results in overvoltage issues, which accelerate the aging and compromise system functionality in the coming years. It is suggested that a level converter be designed using the proposed method in order to address the communication issue with the aging effect. Տարբեր բնագավառների գործունեության մեծ մասն անհնարին կլիներ պատկերացնել՝ առանց ներկայումս արտադրվող ինտեգրալ սխեմաների: Ժամանակակից ինտեգրալ սխեմաները հասել են ինտեգրման շատ բարձր մակարդակի՝ ըստ Մուրի օրենքի: Նանոէլեկտրոնիկայի ոլորտում նվաճումների շնորհիվ՝ տարրերի տեղաբաշխման խտությունը շարունակում է աճել: Տրանզիստորների համար անհրաժեշտ աշխատանքային լարումների նվազեցումը, որն ավելի արագ է կատարվում, քան տրանզիստորների մասշտաբավորումը, հանգեցնում է դրանց ելուստների միջև կիրառվող ոչ ցանկալի լարման արժեքների։ Հաստ դիէլեկտրական շերտերով տրանզիստորներ արտադրելու գործարանների անկարողությունը հանգեցնում է գերլարման խնդիրների, որոնք արագացնում են ծերացումը և վտանգում համակարգի ֆունկցիոնալությունը հետագա տարիներին: Առաջարկվում է մշակել լարման մակարդակի փոխարկիչ՝ օգտագործելով առաջարկվող մեթոդը՝ ծերացման երևույթի խնդիրը լուծելու համար։ Большинство видов деятельности было бы невозможно представить без интегральных схем, которые производятся сегодня. Современные интегральные схемы достигли чрезвычайно высокого уровня интеграции, следуя закону Мура. Плотность размещения элементов на пластине может быть значительно увеличена благодаря достижениям в области наноэлектроники. Снижение рабочих напряжений, необходимых для транзисторов, не поспевает за масштабированием транзисторов, что приводит к появлению нежелательных значений напряжения между выводами транзистора. Неспособность заводов производить транзисторы с толстым диэлектрическим слоем приводит к проблемам с перенапряжением, которые ускоряют старение и ставят под угрозу функциональность системы в последующие годы. Предлагается разработать преобразователь уровней с использованием предлагаемого метода для решения проблемы связи с эффектом старения․},
 title={A Minimization Method For Transistor Aging Influence In High-To-Low Voltage Level Converter Design},
 type={Հոդված},
 keywords={Microelectronics},
}