@misc{Айвазян_Г._Е._Моделирование,
 author={Айвазян, Г. Е. and Катков, М. В. and Лахоян, Л. М.},
 howpublished={online},
 abstract={Представлены результаты исследования углового отражения слоев черного кремния (b-Si), сформированных методом реактивного ионного травления. Расчеты методом матрицы переноса и экспериментальные измерения подтверждали превосходное антиотражающее свойство b-Si при углах падения светового излучения до 60°. Это обеспечивает стабильность тока короткого замыкания солнечных элементов в широком угловом диапазоне, что особенно важно для эффективной эксплуатации стационарных фотовольтаических станций в течение дня и при облачной погоде. Ներկայացված են ռեակտիվ իոնային խածատմամբ ձևավորված սև սիլիցիումի (b-Si) շերտերի անկյունային անդրադարձման հետազոտման արդյունքները։ Մատրիցային փոխանցման մեթոդով իրականացված հաշվարկները և փորձարարական չափումները հաստատում են b-Si-ի գերազանց հակաանդրադարձման հատկությունը լուսային ճառագայթների մինչև 60° անկման անկյունների դեպքում։ Դա ապահովում է արևային էլեմենտների կարճ միացման հոսանքի կայունությունը լայն անկյունային տիրույթում, ինչը հատկապես կարևոր է ցերեկային և ամպամած եղանակին անշարժ ֆոտովոլտային կայանների արդյունավետ շահագործման համար: The study presents the results of angular reflection analysis of black silicon (b-Si) layers formed through reactive ion etching. Calculations using the transfer matrix method and experimental measurements confirm the excellent antireflective properties of b-Si at light incidence angles of up to 60°. This ensures the stability of the short-circuit current in solar cells across a wide angular range, which is particularly important for the efficient operation of stationary photovoltaic stations during daytime and under cloudy conditions.},
 title={Моделирование и экспериментальное исследование углового отражения черного кремния},
 type={Հոդված},
 keywords={Физика},
}