@misc{Մինասյան_Մելս_Հակադարձված,
 author={Մինասյան, Մելս and Մինասյան, Աննա},
 address={Ստեփանակերտ},
 howpublished={online},
 abstract={Կատարված է փոխանջատիչի օպտիմալացմանը բերող հետազոտություն: Ինվերս միացումով աշխատող բիպոլյար տրանզիստորում բացահայտվում է էլեկտրական ծակման էականորեն նվազ շեմ՝ նույնում ունենալով նաև հոսանքով կառավարվող բացասական դիֆերենցիալ դիմադրության տեղամաս: Առաջանում է ինքնափոխանջատումների իրականացման հարմարավետություն: Проведено исследование, оптимизирующее реализацию переключателя. В биполярном транзисторе, работающем в инверсном включении, выявляется существенное понижение порога пробоя, а с учетом высокой вероятности формирования ОС, облегчена также реализация автопереключений. An optimizing research of the switch was carried out. In a bipolar transistor operating in inverse switching, is revealed a significant lowering of the threshold of the breakdown. And taking into account the negative resistance detected at the same time and controlled by current, it is also easy to realize auto-switching.},
 type={Հոդված},
 title={Հակադարձված (ինվերս) տրանզիստորի որոշ բնութագրերի հետազոտումը},
 keywords={Ֆիզիկա},
}