@misc{A._E._Yesayan_Modeling,
 author={A. E. Yesayan},
 address={Երևան},
 howpublished={online},
 publisher={ՀՀ ԳԱԱ հրատ.},
 abstract={An analytical expression is obtained for 2D electrostatic potential in Tri-Gate SOI FinFET in weak and moderate inversion regimes.Ստացվել է անալիտիկ արտահայտություն երկչափ էլեկտրաստատիկ պոտենցիալի համար եռակի փականով SOI FinFET-ում:Получено аналитическое выражение для двумерного электростатического потенциала в трехзатворном SOI FinFET при слабой и умеренной инверсии.},
 title={Modeling of electrostatics and drain current SOI FinFET},
 type={Հոդված},
 keywords={Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering, Technology},
}