@misc{H._R._Dashtoyan_Microwave,
 author={H. R. Dashtoyan},
 address={Երևան},
 howpublished={online},
 publisher={Հայաստանի ԳԱԱ},
 abstract={Microwave (dynamic) characteristics of barrier-injected transit-time metal-ferroelectric-metal nanostructure are investigated for the first time. It is shown that: it is possible to obtain dynamic negative resistance and therefore the microwave signal generation (amplification) on such structures; the power output and efficiency increase with an increase of the concentration of oxygen vacancies conditioned traps in ferro-films; based on the obtained results, and combining them with the passive elements already used based on ferro-thin films, one can construct fully integrated Ferro-VLSI circuits. Առաջին անգամ ուսումնասիրվել են մետաղ-ֆերոէլեկտրիկ-մետաղ կառուցվածքի միկրո-ալիքային (դինամիկ) բնութագրերը: Ցույց է տրվել, որ այդ կառուցվածքում հնարավոր է ստանալ դինամիկ բացասական դիմադրություն և այդպիսով` միկրոալիքային ազդանշանի գեներացիա (ուժեղացում): Ֆերոթաղանթներում, թթվածնի վականսիաներով պայմանավորված, թակարդային մակարդակների կոնցենտրացիայի աճի հետ մեկտեղ աճում են ելքի հզորությունը և սարքի արդյունավետությունը: Հիմնվելով ստացված արդյունքների վրա և համակցելով ֆերոթաղանթային պասսիվ տարրերը, կարելի է նախագծել լիովին ինտեգրված Ferro-VLSI սխեմաներ: Исследованы микроволновые (динамические) характеристики структуры металл-ферроэлектрик-металл. Показано, что: в упомянутых структурах возможны получение динамического негативного сопротивления и генерация (усиление) микроволнового сигнала; в ферропленке вместе с ростом концентрации ловушечных уровней, которые обусловлены кислородными вакансиями, растет также мощность выхода и эффективность; на основе полученных результатов и совмещением с пассивными ферропленочными элементами возможно создание полностью интегрированных Ferro-VLSI схем.},
 title={Microwave (RF) signal generation on the metal-ferroelectric-metal nanostructure},
 type={Հոդված},
 keywords={Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering, Technology},
}