@misc{Հ._Գ._Կասարջյան_32/28նմ,
 author={Հ. Գ. Կասարջյան},
 address={Երևան},
 howpublished={online},
 publisher={Հայաստանի ԳԱԱ},
 abstract={Գրպանիկի մոտիկության երևույթի նվազեցման նպատակով ընտրվել է հոսանքի հայելու N-ՄՕԿ տրանզիստորներով իրականացված սխեմա, որը համեմատվել է P-ՄՕԿ տրանզիստորներով իրականացված սխեմայի պարամետրերի հետ: Для снижения эффекта близости кармана выбрана схема токового зеркала с N-МОП транзисторами. Проведено сравнение полученных данных с параметрами схемы на P-МОП транзисторах. For decreasing the well proximity effect on the final results of the physical design of a current mirror, N-MOS transistors are selected. The obtained data are compared with the parameters of the scheme with the P-MOS transistors.},
 type={Հոդված},
 title={32/28նմ տեխնոլոգիական գործընթացում գրպանիկի մոտիկության երևույթի ազդեցության նվազեցման եղանակ},
 keywords={Technology},
}