@misc{М._С._Азоян_Анализ,
 author={М. С. Азоян},
 address={Երևան},
 howpublished={online},
 publisher={ՀՀ ԳԱԱ հրատ.},
 abstract={Проведено исследование полупроводниковых параметрических делителей частоты (ППДЧ), базирующееся на представлении нелинейных зависимостей емкости и проводимости диода в виде конечных рядов по степеням напряжения. Показано, что более общим подходом является представление этих зависимостей в виде произвольных функций, которые могут быть заданы экспериментальными графиками. На основе такого представления приведены результаты анализа амплитудно-частотных характеристик (АЧХ) полупроводниковых параметрических делителей частоты. Հաճախության կիսահաղորդչային բաժանարարի ուսումնասիրումը հիմնվում է դիոդի ոչ գծային ունակության և հաղորդականության կախվածության վրա՝ ըստ լարման վերջնական աստիճանային շարքերի պատկերման տեսքով: Առավել ընդհանուր մոտեցմամբ այդ կախվածությունները հանդես են գալիս անկախ ֆունկցիաների տեսքով, որոնք կարող են առաջադրվել փորձնական բնութագրերով: Այդ պատկերացման հիման վրա ներկայացված է գերբարձր հաճախությամբ կիսահաղորդչային պարամետրիկ բաժանարարի (ՀԿՊԲ) ամպլիտուդա–հաճախային վերլուծությունը (ԱՀՎ): Semiconductorfrequency dividers based on the representation of non-linear dependences of the diode capacitance and conductance in the form of finite power series involtageare investigated. A more general approach is to view these dependences in the form of arbitrary functions that can be set by experimental schedules. Based on this representation the analysis results ofthe amplitude-frequency characteristics (AFC) of semiconductor-paretric frequency dividers (PPDCH) are introduced.},
 title={Анализ амплитудно-частотных характеристик полупроводникового параметрического делителя сверхвысоких частот},
 type={Հոդված},
 keywords={Technology},
}