@misc{Լ._Հ._Սուքոյան_Ֆերոէլեկտրիկ-օքսիդ-կիսահաղորդիչ,
 author={Լ. Հ. Սուքոյան and Վ. Վ. Բունիաթյան and Տ. Վ. Վադունց},
 address={Երևան},
 howpublished={online},
 publisher={ՀՀ ԳԱԱ հրատ.},
 abstract={Տեսականորեն հետազոտվել են ունակային սկզբունքով աշխատող ֆերոէլեկտրիկ–օքսիդ-կիսահաղորդիչ կառուցվածքի ֆոտոզգայնության մեխանիզմներն ու ընթացող օպտիկա-ֆիզիկական երևույթներն ըստ ինտենսիվության / հաճախականության մոդուլացված լույսի ազդման դեպքում: Теоретически исследована фоточувствительность ферроэлектрик-оксид-полупроводник структур, работающих по емкостному принципу под воздействием модулированного по частоте/интенсивности светового луча. The photosensitivity of the ferroelectric-oxide-semiconductor structures operating by the capacitive principle under the influence of the frequency intensity of modulated light beam is theoretically investigated.},
 title={Ֆերոէլեկտրիկ-օքսիդ-կիսահաղորդիչ կառուցվածքի բնութագրերը ըստ հաճախության մոդուլացված լուսային ազդանշանի ռեժիմում},
 type={Հոդված},
 keywords={Technology},
}