@misc{Վ._Վ._Բունիաթյան_ՇՈՏԿԻԻ,
 author={Վ. Վ. Բունիաթյան and Օ. Հ. Պետրոսյան and Գ. Ա. Ավետիսյան and Թամրազյան, Ա. Ա.},
 address={Երևան},
 howpublished={online},
 publisher={ՀՀ ԳԱԱ հրատ.},
 abstract={Տեսականորեն հետազոտվել են սիլիցիում-կարբիդային Շոտկիի արգելքով կառավարվող դաշտային տրանզիստորի (ՇԱԴՏ) հաղորդականությունները փոփոխական ազդանշանի ռեժիմում, երբ հոսքուղու տիրույթում լեգիրացնող խառնուրդները խորն են և միաժամանակ կիսահաղորդչի արգելման գոտում առկա են կպչուն մակարդակներ (լիցքակիրների թակարդներ): Բնութագրերի ուսումնասիրման և հաշվարկման համար առաջարկվել է նոր, ավելի ընդհանուր մոդել:},
 title={ՇՈՏԿԻԻ ԱՐԳԵԼՔՈՎ ԿԱՌԱՎԱՐՎՈՂ SiC ԴԱՇՏԱՅԻՆ ՏՐԱՆԶԻՍՏՈՐԻ ՀԱՂՈՐԴԱԿԱՆՈՒԹՅՈՒՆՆԵՐԸ ՓՈՓՈԽԱԿԱՆ ԱԶԴԱՆՇԱՆԻ ՌԵԺԻՄՈՒՄ},
 type={Հոդված},
 keywords={Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering, Technology},
}