@misc{L._Ա._Միքայելյան_Խառնուրդային,
 author={L. Ա. Միքայելյան},
 address={Երևան},
 howpublished={online},
 publisher={ՀՀ ԳԱԱ հրատ.},
 abstract={Տեսականորեն հետազոտվել են սիլիցիում-կարբիդային Շոտկիի արգելքով կառավարվող դաշտային տրանզիստորներում ընթացող ֆիզիկական երևույթները ուղետարի տիրույթի կիսահաղորդչի արգելման գոտում լեգիրացնող խառնուրդների խորը և կպչուն մակարդակների առկայության դեպքում: Բնութագրերի ուսումնասիրման և հաշվարկման համար առաջարկվել է նոր, ավելի ընդհանուր մոդել, որն ավելի ճշգրիտ է բնութագրում ռեալ սիլիցիում-կարբիդային սարքերում ընթացող երևույթները: Теоретически исследованы физические процессы, происходящие в SiC полевых транзисторах с барьером Шоттки (ПТШ) при наличии глубоких уровней и уровней прилипания (центры захвата) в запрещенной зоне полупроводника. Предложена новая модель, позволяющая более точно характеризовать физические процессы, происходящие в реальных SiC ПТШ. The physical processes in the Schottky barrier MESFET’s are theoretically examined, when the deep impurity and trap levels in the bandgap of channel are present. A new common model allowing to characterize more exactly the processes which take place in real SiC MESFET’s is suggested.},
 type={Հոդված},
 title={Խառնուրդային խորը և կպչուն մակարդակներ պարունակող սիլիցիում-կարբիդային դաշտային տրանզիստորի ստատիկ բնութագրերը},
 keywords={Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering, Technology},
}