@misc{Айвазян_Г._Е._Характеристики,
 author={Айвазян, Г. Е. and Агабекян, А. В. and Семченко, А. В. and Сидский, В. В. and Коваленко, Д. Л. and Гайшун, В. Е. and Малютина-Бронская, В. В. and Залесский, В. Б.},
 address={Երևան},
 howpublished={online},
 publisher={«Պոլիտեխնիկ» տպ.},
 abstract={Представлены результаты исследования структурных, вольт-амперных и вольт- фарадных характеристик тонких золь-гель пленок ZnO, TiO2 и SiO2 на поверхности черного кремния (b-Si). Показано, что пленки ZnO и TiO2 имеют стабильные структурные свойства и не ухудшают отражение b-Si в широком диапазоне солнечного излучения. Заметной фоточувствительностью обладают только образцы с пленкой TiO2. Проанализированы функциональные возможности применения структур b-Si/оксидная пленка в полупроводниковых приборах различного назначения. В качестве пассивирующих и защитных покрытий в солнечных элементах на основе b-Si предпочтительно использовать золь-гель пленки ZnO и TiO2. Ներկայացվել են սև սիլիցիումի (b-Si) մակերևույթին ZnO, TiO2 և SiO2 զոլդոնդող թաղանթների կառուցվածքային, վոլտ-ամպերային և վոլտ-ֆարադային բնութագրերը: Ցույց է տրվել, որ ZnO և TiO2 թաղանթներն ունեն կայուն կառուցվածքային հատկություններ և չեն վատթարացնում b-Si-ի անդրադարձումը արևային ճառագայթման լայն տիրույթում: Նկատելի լուսազգայնություն ունեն միայն TiO2 թաղանթով նմուշները: Վերլուծվել են b-Si/օքսիդային թաղանթ - կառուցվածքների կիրառման ֆունկցիոնալ հնարավորությունները տարբեր նշանակությամբ կիսահաղորդչային սարքերում: Որպես b-Si-ի հիման վրա արևային էլեմենտների կայունացնող և պաշտպանիչ ծածկույթ նախընտրելի է օգտագործել ZnO և TiO2 զոլ-դոնդող թաղանթները: The investigation results of the structural, current-voltage and capacitance-voltage characteristics of thin sol-gel ZnO, TiO2 and SiO2 films on the surface of black silicon (b- Si) are presented. It is shown that the ZnO and TiO2 films have stable structural properties and do not worsen the reflection of b-Si in a wide range of solar radiation. Only samples with a TiO2 film have a noticeable photosensitivity. The functional possibilities of using b- Si/oxide film structures in semiconductor devices for different applications are analyzed. It is preferable to use ZnO and TiO2 sol-gel films as passivation and protective coatings in solar cells based on b-Si.},
 title={Характеристики золь-гель пленок на поверхности черного кремния},
 type={Հոդված},
 keywords={Радиоэлектроника},
}