@misc{Петросян_С._Г._Атомарно-тонкие,
 author={Петросян, С. Г. and Хачатрян, А. М.},
 howpublished={online},
 abstract={В работе приведены результаты по синтезу и исследованию свойств монослойных и многослойных пленок MoS2, полученных с помощью импульснолазерного осажденияна на стеклянных подложках. Для характеристики структурных, морфологических, оптических и электрических свойств пленок были использованы атомно-силовая микроскопия (AFM), рентгеновская дифрактометрия, спектроскопия комбинационного рассеяния, оптическое поглощение, фотолюминесценция и холловские измерения. Обнаруженные экспериментальные особенности ультратонких пленок MoS2 свидетельствуют об эволюции всех свойств такого квзидвумерного материала с ростом числа атомных слоев. В пределе толщин в один-два монослоя материал становится прямозонным, причем оптическое поглощение и фотолюминесценция при комнатной температуре обусловлены генерацией и рекомбинацией двумерных экситонов, имеющих энергию связи порядка 0.45 эВ. В зависимости от режимов осаждения слои могут содержат вакансии или избыток атомов серы, проводящие к проводимости n- или p-типов, соответственно. This paper presents the results on the synthesis and study of the properties of monolayer and multilayer MoS2 films obtained by pulsed laser deposition on glass substrates. Atomic force microscopy (AFM), X-ray diffractometry, Raman spectroscopy, optical absorption, photoluminescence and Hall measurements were used to characterize the structural, morphological, optical and electrical properties of the films. The observed experimental features of ultra-thin MoS2 films indicate the evolution of all properties of such a quasi-two-dimensional material with an increase in the number of atomic layers. In the limit of one - two monolayer thicknesses, the material becomes direct-gap, and optical absorption and photoluminescence at room temperature are due to the generation and recombination of two-dimensional excitons with a binding energy of the order of 0.45 eV. Depending on the deposition regimes, the layers may contain vacancies or an excess of sulfur atoms, leading to the n- or p-type conductivity, respectively.},
 title={Атомарно-тонкие слои MoS2, выращенные методом импульсно-лазерного осаждения},
 type={Հոդված},
 keywords={Электричество},
}