@misc{А._В._Маргарян_Двухмерные,
 author={А. В. Маргарян and С. Г. Петросян and Л. А. Матевосян and К. Е. Авджян},
 howpublished={online},
 publisher={ՀՀ ԳԱԱ հրատ.},
 abstract={Исследована фоточувствительность локально освещенного гетероперехода (p)InSb–(n)CdTe, созданного методом лазерно-импульсного осаждения тонкого слоя CdTe. На основе такого гетероперехода были изготовлены инфракрасные двухкоординатно-чувствительные фотоприемники и было показано, что они обладают линейными выходными характеристиками. Величина измеренной координатной чувствительности составляла около 30 нА/мкм. Հետազոտված է ֆոտոզգայնությունը տեղային ճառագայթված (n)CdTe–(p)InSb այն հետերոանցման, որը ստացված է CdTe-ի բարակ թաղանթի լազերա-իմպուլսային նստեցման մեթոդով: Այս հետերոանցման հիման վրա պատրաստված են երկչափ կոորդինատազգայուն ինֆրակարմիր ֆոտոընդունիչներ, և ցույց է տրված, որ դրանք ունեն գծային ելքային բնութագրեր: Կոորդինատային զգայնության չափված արժեքը կազմում է մոտ 30 նԱ/մկմ: Photosensitivity of locally irradiated (n)CdTe–(p)InSb heterojunction formed by laserpulsed deposition of CdTe thin layer was investigated. Two-coordinate sensitive IR photodetectors based on such heterojunction were fabricated, and it was shown that they have linear output characteristics. The measured value of coordinate sensitivity is about 30 nA/μm.},
 title={Двухмерные координатно-чувствительные фотоприемники на основе гетероперехода (p)InSb–(n)CdTe},
 type={Հոդված},
 keywords={Physics, Science, Optics; Light},
}