@misc{А._Р._Мкртчян_О,
 author={А. Р. Мкртчян and Ал. Г. Алексанян and К. С. Арамян and А. А. Алексанян},
 howpublished={online},
 publisher={ՀՀ ԳԱԱ հրատ.},
 abstract={Теоретически исследована гетероструктура Si/Ge, активная область которой состоит из квантовых точек (KT) Ge. Высокая плотность массива KT Ge не может служить доминантой в выборе адекватной модели, способной объяснить наблюдаемое в экспериментах увеличение интенсивности люминесценции. В основу такой модели заложены условия, способствующие повышению силы осциллятора экситона за счет «втягивания» электронных состояний в ядро KT Ge. Տեսականորեն հետազոտված է Si/Ge հետերոկառուցվածքը, որի ակտիվ տիրույթը բաղկացած է գերմանիումի քվքնտային կետերից (ՔԿ): Գերմանիումի ՔԿ-ի զանգվածի բարձր խտությունը չի կարող հիմք հանդիսանալ փորձերում դիտվող լյումինեսցենցիայի աճը բացատրելու համար: Մոդելի հիմքում դրված են էքսիտոնի օսցիլյատորի ուժի բարձրացմանը նպաստող պայմանները` գերմանիումի ՔԿ-ի մեջ էլեկտրոնային վիճակների «ներձգման» շնորհիվ: The Si/Ge heterostructure the active area of which is composed of Ge quantum dots (QD) is theoretically investigated. The high density of the Ge QD array can not be the dominant feature in the choice of an adequate model that can explain the experimentally observed increase in the intensity of luminescence. In the basis of this model were established conditions conducing to the improvement of the oscillator strength of the exciton due to ‘pull’ of the electronic states in the Ge QD core.},
 title={О механизме роста силы оптических переходов в квантовых точках Ge, внедренных в матрицу Si},
 type={Հոդված},
 keywords={Physics, Science, Physics of Semiconductors, Quantum Physics},
}