@misc{Г._Д._Хондкарян_Низкочастотные,
 author={Г. Д. Хондкарян and Ф. В. Гаспарян},
 howpublished={online},
 publisher={ՀՀ ԳԱԱ հրատ.},
 abstract={Исследованы ВАХ и низкочастотные шумы структур металл–полупроводник при комнатной температуре. Получены ВАХ и спектры низкочастотных шумов диодных структур с барьером Шоттки, изготовленных на основе Fe/n-Si, Cr/n-Si, W/n-Si. Показано, что ВАХ, уровень и частотный индекс шумов сильно зависят от выбора металлического контакта и величины его площади. Ուսունասիրվել են մետաղ–կիսահաղորդիչ կառուցվածքի ՎԱԲ-ը և ցածրհաճախային աղմուկները սենյակային ջերմաստիճանում: Ստացված են Fe/n-Si, Cr/n-Si, W/n-Si հիմքի վրա պատրաստված Շոտկիի արգելքի ՎԱԲ-ը և ցածրհաճախային աղմուկների սպեկտրները: Ցույց է տրված, որ ինչպես ՎԱԲ-ը, այնպես էլ ցածրհաճախային աղմուկների հաճախային գործակիցը խիստ կախված են կոնտակտային մետաղի տեսակից և վերջինիս մակերեսի չափերից: CVC and low-frequency noises of the metal-semiconductor structures at room temperature were investigated. The CVC and low-frequency noise spectra of the diode structures with Schottky barrier prepared on the base of Fe/n-Si, Cr/n-Si and W/n-Si are obtained. It is shown that the CVC, noise level and its frequency index are strongly dependent on the choice of contact metal, and its surface area value.},
 title={Низкочастотные шумы контакта металл–полупроводник},
 type={Հոդված},
 keywords={Physics, Science, Physics of Semiconductors, Radiophysics},
}