@misc{В._A._Теккозян_Формирование,
 author={В. A. Теккозян and К. Ли and А. Ж. Бабаджанян and Х. В. Неркарарян},
 howpublished={online},
 publisher={ՀՀ ԳԱԱ հրատ.},
 abstract={Предложен механизм увеличения энергии связи экситона в широкозонных полупроводниках при наличии оптически накачанной электронно-дырочной плазмы. Эти экситоны с относительно большой энергией связи ( > 150 мэВ) могут существовать при комнатной температуре, когда диэлектрическая проницаемость полупроводника в инфракрасной области спектра приближается к нулю. Առաջարկված է լայն արգելված գոտիով կիսահաղորդիչներում էքսիտոնների կապի էներգիայի մեծացման մեխանիզմ, օպտիկապես մղված էլեկտրոն-խոռոչային պլազմայի առկայության պայմաններում: Համեմատաբար մեծ կապի էներգիայով ( > 150 մէՎ) այդ էքսիտոնները կարող են գոյատևել սենյակային ջերմաստիճանում, երբ կիսահաղորդչի դիէլեկտրական թափանցելիության արժեքը սպեկտրի ինֆրակարմիր տիրույթում մոտ է 0- ին: A mechanism to increase the exciton binding energy in wide band-gap semiconductors due to the presence of optically pumped electron-hole plasma is proposed. These exciton states with high binding energy ( > 150 meV) can exist at room temperature when the dielectric permittivity of a semiconductor approaches zero in the infrared region.},
 type={Հոդված},
 title={Формирование экситонов в полупроводниковых наноструктурах при наличии электронно-дырочной плазмы},
 keywords={Physics, Science, Plasma Physics, Physics of Semiconductors},
}