@misc{Ф._В._Гаспарян_Моделирование,
 author={Ф. В. Гаспарян},
 howpublished={online},
 publisher={ՀՀ ԳԱԱ հրատ.},
 abstract={Представлены результаты моделирования и теоретического расчета влияния света с модулированной интенсивностью на светоадресуемые потенциометрические сенсоры на основе структуры электролит–изолятор–полупроводник и электролит–мембрана–изолятор–полупроводник. Մոդելավորված և տեսականորեն հետազոտված են կիսահաղորդիչ/մեկուսիչ/էլեկտրոլիտ և կիսահաղորդիչ /մեկուսիչ/մեմբրան/էլեկտրոլիտ կառուցվածքով լույսով հասցեագրվող պոտենցաչափական սենսորները: Results of modeling and theoretical simulation of the influence of intensity-modulated irradiation on the light-addressable potentiometric sensors based on the electrolyte–insulator– semiconductor and electrolyte–membrane–insulator–semiconductor structures are presented.},
 title={Моделирование и расчет светоадресуемых потенциометрических сенсоров},
 type={Հոդված},
 keywords={Physics, Science, Natural history, Biology},
}